本项目主要沉积出可应用于柔性深紫外光探测器的非晶氧化镓（amorphous gallium oxide, α-Ga2O3）薄膜。该薄膜采用不同衬底温度下的高速空间式原子层沉积（spatial atomic layer deposition, SALD）法进行沉积。结果表明，在衬底温度为145至155度范围下所得到的饱和沉积速率是传统时间式原子层沉积（Temporal ALD）的4至16倍。因此，相比非饱和SALD条件下的结果，基于饱和SALD条件下所沉积的薄膜具有更少的碳杂质、氧相关缺陷和更大的致密性。

最后，本项目成功制备出一种具有快速衰减时间为161微秒以及低暗电流密度为6.8×10-10 A1cm-2的高性能柔性深紫外α-Ga2O3光电探测器。